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삼성전자가 텍사스주 오스틴에 있는 낸드 메모리 300㎜ 팹의 공정 기술을 현 40나노급에서 30나노급으로 하반기 전환한다.
수년간 진행된 반도체 업계의 치킨게임이 한국 기업 승리로 종료된 상황에서 낸드 가격이 상승하는 등 반도체 경기가 바닥을 치자 삼성이 낸드 시장 점유율 경쟁 격차를 더 벌리려는 시도로 보인다.
21일 업계에 따르면 삼성전자 반도체 구매 임원들은 최근 반도체 영업과 마케팅 법인(SSI)이 있는 미국 캘리포니아 새너제이에서 노벨러스·램 리서치·어플라이드 머티어리얼스 등 미국 전공정 반도체 장비 기업과 회의를 가졌다.
구매 임원들은 전공정 반도체 장비 기업과 모임을 마친 뒤 미국 텍사스주 삼성오스틴반도체(SAS) 임원과 현지 공장의 공정 기술 전환 계획을 논의한 것으로 알려졌다. 삼성은 오스틴공장에서 D램 200㎜ 팹과 낸드 메모리 300㎜ 팹을 가동 중이다.
삼성은 올 하반기 2000억∼3000억원을 투입해 오스틴 300㎜ 팹의 공정 기술을 30나노급으로 전환, 해외 기지의 낸드 메모리 원가 경쟁력을 한층 제고할 계획이다.
이달 30나노급 낸드 제품 양산에 이은 4분기 오스틴 공장의 30나노급 전환 시도는 1분기 큰 폭의 영업 손실을 입은 외국 경쟁 업체들이 주춤할 때 삼성이 미세 공정 조기 전환에 나서, 낸드 메모리 시장 지배력을 좀 더 확고히 다지기 위한 전략으로 풀이된다.
반도체 경기의 불확실성이 제거되지 않은 상황에서 당초 계획했던 오스틴 300㎜ 팹 생산 능력을 현 월 5만∼6만장에서 월 10만장으로 늘리는 증설 투자보다는 공정 전환 기술 투자에 집중하겠다는 의도로도 풀이됐다. 반도체 업계 관계자는 “삼성의 오스틴 300㎜ 팹 30 나노 공정 전환 방침이 최근 결정됐으며, 투자 시점은 3∼4분기가 될 것”이라고 말했다. 삼성전자 측은 “반도체 구매 임원들이 지난주 새너제이를 방문, 장비 업체를 만난 것은 사실”이라면서도 “오스틴 공정 전환 투자를 아직 확정하지 않았다”고 밝혔다.
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